硅基光波导芯片与垂直腔面发射激光器的封装结构
文献类型:专利
作者 | 刘露露; 阮子良; 张浩; 温雪沁; 朱运涛; 刘柳; 陈伟 |
发表日期 | 2018-11-06 |
专利号 | CN208060764U |
著作权人 | 苏州易缆微光电技术有限公司 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 实用新型 |
其他题名 | 硅基光波导芯片与垂直腔面发射激光器的封装结构 |
英文摘要 | 本实用新型公开了一种硅基光波导芯片与垂直腔面发射激光器的封装结构,在绝缘体上硅芯片上制作硅波导结构以及具有倾斜光栅耦合器;再在芯片上沉积一层二氧化硅绝缘层,之后在绝缘层上依次制作金属导线图形和金锡焊点图形。金属导线图形和金锡焊点图形与光栅耦合器的相对位置需要精确控制。最后采用倒装焊接的方式,将垂直腔面发射激光器与硅基光栅耦合器进行对准封装。该结构可以有效的实现激光器与硅基光波导的耦合,实现硅基光源。倾斜光栅耦合器可以有效降低传统光栅耦合器的二阶反射,提高耦合效率,且具有较大的工作波长带宽。该结构大大降低了硅基光源的制作封装难度,可以广泛应用于基于硅基光子集成芯片的光模块中。 |
公开日期 | 2018-11-06 |
申请日期 | 2018-02-02 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41455] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 苏州易缆微光电技术有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘露露,阮子良,张浩,等. 硅基光波导芯片与垂直腔面发射激光器的封装结构. CN208060764U. 2018-11-06. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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