一种太赫兹半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘俊岐; 王涛; 李媛媛; 刘峰奇; 王利军; 张锦川; 翟慎强; 刘舒曼; 卓宁; 王占国 |
| 发表日期 | 2018-11-27 |
| 专利号 | CN105655866B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种太赫兹半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种太赫兹半导体激光器及其制造方法，该太赫兹半导体激光器包括金属亚波长光栅层、半绝缘衬底层、高掺杂半导体层及结构相同的两个台面，两个台面由外延层深度腐蚀形成，其中一个作为该激光器的有源区结构，另一个作为下电极的支撑台面，两者的功能仅通过绝缘层的图形差异控制是否有电流注入来实现。本发明基于有源区横向选区电镀辅助散热金属层和图形化热沉倒装焊结构，这种结构既能改善器件有源区的散热特性又能方便形成衬底面发射，从而提高太赫兹激光发射效率和光束质量。 |
| 公开日期 | 2018-11-27 |
| 申请日期 | 2016-02-01 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41553]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘俊岐,王涛,李媛媛,等. 一种太赫兹半导体激光器及其制造方法. CN105655866B. 2018-11-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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