正多边形微腔双稳半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 黄永箴; 杨跃德; 王世江 |
| 发表日期 | 2012-05-23 |
| 专利号 | CN101728760B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 正多边形微腔双稳半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种正多边形微腔双稳半导体激光器，该半导体激光器由平板波导经刻蚀制成，包括一正多边形的谐振腔和一输出波导，且该输出波导与该正多边形的谐振腔连接或耦合。利用本发明，由于正多边形微腔中不同对称性模式的品质因子和耦合效率随波导的变化有着不同的关系，通过控制输出波导的宽度使不同对称性模式具有相同的阈值增益和不同的耦合效率，所以能够实现正多边形微腔激光器的输出双稳特性。 |
| 公开日期 | 2012-05-23 |
| 申请日期 | 2008-10-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41567]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄永箴,杨跃德,王世江. 正多边形微腔双稳半导体激光器. CN101728760B. 2012-05-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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