大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构
文献类型：专利
| 作者 | 郝永芹; 马建立; 钟景昌; 赵英杰; 王晓华; 乔忠良 |
| 发表日期 | 2009-01-28 |
| 专利号 | CN100456584C |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构 |
| 英文摘要 | 大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构属于半导体激光器件技术领域。现有技术因载流子聚集效应以及趋肤效应，使得注入电流强度以及发光强度不均匀，器件性能和寿命受到影响。本发明之多芯电注入结构位于布拉格反射镜中的高铝层，在环形沟槽及其两侧的氧化物限制区所包围的区域内均匀分布若干个分立电流注入区，这些分立电流注入区由分布于该区域内的多条沟槽及其两侧的氧化物限制区或者多个孔穴及其周围的氧化物限制区所分隔。从而可以在加大出光孔径或者采用短脉冲驱动以提高器件功率时，避免或者弱化上述效应对器件性能和寿命造成的不利影响。本发明可应用于半导体激光器教学、研究和生产领域。 |
| 公开日期 | 2009-01-28 |
| 申请日期 | 2006-08-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41595]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郝永芹,马建立,钟景昌,等. 大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构. CN100456584C. 2009-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。