選択成長導波型光制御素子
文献类型：专利
| 作者 | 小松 啓郎; 北村 光弘; 山口 昌幸 |
| 发表日期 | 1998-03-20 |
| 专利号 | JP2760276B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 選択成長導波型光制御素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 単一モード光ファイバ間挿入損失が小さく、かつ変調周波数帯域が広く、高速光通信用光制御素子として好適な選択成長半導体光制御素子を提供する。選択的結晶成長を用いると半導体レーザや光変調器を半導体のエッチングを行うことなく薄い誘電体マスクのパターニングだけで製作でき、ウェハ内の特性均一性やrun-to-runの特性再現性に優れる。しかし埋め込み構造の選択成長光制御素子では通常導電型基板、逆導電性埋め込み層ともキャリア濃度が高いので、その界面のホモ接合により大きな静電容量を生じ、変調周波数帯域が狭く、高速光通信システムに適用できない。 【構成】 導電型基板120を低キャリア濃度としこれによりホモ接合の静電容量を低減させることができ、変調周波数帯域の拡大を可能とする。 |
| 公开日期 | 1998-05-28 |
| 申请日期 | 1993-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41663]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小松 啓郎,北村 光弘,山口 昌幸. 選択成長導波型光制御素子. JP2760276B2. 1998-03-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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