波長可変半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 北村 光弘 |
| 发表日期 | 1997-08-22 |
| 专利号 | JP2687891B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 波長可変半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】広い連続波長可変範囲を有する高性能な波長可変DBR-LDを提供することである。 【構成】発光再結合する活性層を含む活性領域11、電流注入により屈折率変化を生じる位相制御層を含む位相制御領域12、DBR導波層および回折格子を有するDBR領域13が光の共振方向に形成されてなる波長可変半導体レーザにおいて、前記位相制御領域と前記DBR領域に共通する電極が形成され、前記位相制御層を構成する半導体層のエネルギーバンド構造が価電子帯において負の有効質量を有する構造であり、かつ前記DBR導波層を構成する半導体層のエネルギーバンド構造が価電子帯において正の有効質量を有する構造であることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1997-12-08 |
| 申请日期 | 1994-08-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41666]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北村 光弘. 波長可変半導体レーザ. JP2687891B2. 1997-08-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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