Quantum well semiconductor laser device
文献类型：专利
| 作者 | HAYAKAWA, TOSHIRO; SUYAMA, TAKAHIRO; TAKAHASHI, KOHSEI; KONDO, MASAFUMI; YAMAMOTO, SABURO |
| 发表日期 | 1989-08-22 |
| 专利号 | US4860297 |
| 著作权人 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Quantum well semiconductor laser device |
| 英文摘要 | In a semiconductor laser device comprising In(Ga1-xAlx)P cladding layers and an active region which has one or more In(Ga1-yAly)P (y |
| 公开日期 | 1989-08-22 |
| 申请日期 | 1987-08-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41668]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HAYAKAWA, TOSHIRO,SUYAMA, TAKAHIRO,TAKAHASHI, KOHSEI,et al. Quantum well semiconductor laser device. US4860297. 1989-08-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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