III-V族化合物半導体成長膜の伝導型制御方法
文献类型：专利
| 作者 | 武部 敏彦; 藤井 元忠; 山本 悌二; 繁田 光浩; 小林 規矩男; 藤本 勲 |
| 发表日期 | 1996-04-16 |
| 专利号 | JP2509006B2 |
| 著作权人 | 株式会社エイ·ティ·アール光電波通信研究所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | III-V族化合物半導体成長膜の伝導型制御方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 1つの不純物を用いて簡単に面内にp-n接合を形成することができるIII-V族化合物半導体成長膜の伝導型制御方法を提供することである。 【構成】 予め基板面に段差を設けたIII-V族化合物半導体(111)A加工基板上に、分子線エピタキシー(MBE)法によりSiドープIII-V族化合物半導体膜を成長させる。SiドープIII-V族化合物半導体膜は、III-V族化合物半導体(111)A加工基板の平坦面上でp型となり、上記段差により形成される斜面上でn型の伝導型となり、1回の成長で平面内にp-n接合が形成される。 |
| 公开日期 | 1996-06-19 |
| 申请日期 | 1991-03-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41677]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社エイ·ティ·アール光電波通信研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武部 敏彦,藤井 元忠,山本 悌二,等. III-V族化合物半導体成長膜の伝導型制御方法. JP2509006B2. 1996-04-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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