半導体装置、半導体装置の製造方法、及び窒化ガリウム系半導体の成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 新田 康一; 藤本 英俊; 石川 正行 |
| 发表日期 | 1999-04-23 |
| 专利号 | JP2919788B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び窒化ガリウム系半導体の成長方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造工程の短縮された窒化ガリウム系青色発光素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 第1の導電型の不純物が添加された第1の窒化ガリウム系半導体層と、実質的に真正な窒化ガリウム系半導体活性層と、前記第1の導電型とは反対の第2の導電型の不純物が添加された第2の窒化ガリウム系半導体層が積層され、前記第1及び第2の窒化ガリウム系半導体層及び前記窒化ガリウム系半導体活性層は、熱CVDで形成された後不活性ガス中で自然放冷される。 |
| 公开日期 | 1999-07-19 |
| 申请日期 | 1996-08-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41689]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 新田 康一,藤本 英俊,石川 正行. 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び窒化ガリウム系半導体の成長方法. JP2919788B2. 1999-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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