Verfahren zur epitaktischen Herstellung von Halbleiternanostrukturen
文献类型：专利
| 作者 | DADGAR, ARMIN; KROST, ALOIS |
| 发表日期 | 2001-05-10 |
| 专利号 | DE19954838C1 |
| 著作权人 | DADGAR, ARMIN |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Verfahren zur epitaktischen Herstellung von Halbleiternanostrukturen |
| 英文摘要 | Halbleiternanostrukturen wie z. B. selbstorganisierte Quantenpunktstrukturen werden im Vergleich zu den üblichen Abscheidebedingungen dieser Materialien häufig bei deutlich niedrigen Temperaturen abgeschieden. Um z. B. im System In¶x¶Ga¶1-x¶As auf GaAs Quantenpunkte für Laser im Wellenlängenbereich um 3 mum herzustellen, müssen relativ große Quantenpunkte gestapelt werden, um auf eine für Laserwendungen ausreichende Quantenpunktdichte zu kommen. Das Glätten der dazwischenliegenden Schichten ist aufgrund der bei diesem Verfahren notwendigen niedrigen Abscheidetemperatur schwierig. DOLLAR A Die definierte Abscheidung von Halbleiternanostrukturen wird oftmals auch durch die Segregation einer oder mehrerer Atomspezies beeinflusst. Meist ist diese ungewollt, wie z. B. im Gruppe III-Nitrid System beim InGaN. DOLLAR A Durch den Einsatz von Halogenen kann das Temperaturfenster, in dem Quantenstrukturen wie z. B. Quantenpunkte abgeschieden werden, erweitert werden. Es wird ferner durch Halogene ein glatteres Überwachsen solcher Strukturen erzielt, was zum einen z. B. eine höhere Quantenpunktdichte ermöglicht und zum anderen eine ungestörte Ausbreitung der Lichtwelle und damit geringere Verluste im Wellenleiter. Ferner können Halogene zur Verminderung von Segregationseffekten in Mehrkomponentenhalbleitern eingesetzt werden. DOLLAR A Das Verfahren eignet isch zur Verbesserung von epitaktischen Halbleiternanostrukturen. |
| 公开日期 | 2001-05-10 |
| 申请日期 | 1999-11-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41692]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | DADGAR, ARMIN |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | DADGAR, ARMIN,KROST, ALOIS. Verfahren zur epitaktischen Herstellung von Halbleiternanostrukturen. DE19954838C1. 2001-05-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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