半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 堀江 秀善; 太田 弘貴 |
| 发表日期 | 2005-07-15 |
| 专利号 | JP3699851B2 |
| 著作权人 | 三菱化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 端面での界面準位密度を長期間にわたって安定に抑制することができる半導体発光素子を簡便な方法で製造すること。 【解決手段】 第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層を含む化合物半導体層を基板上に有する、共振器構造を備えた半導体発光素子の製造方法において;基板上に化合物半導体層を順次結晶成長した後、共振器端面を形成する工程、該端面上に第一不活性化層を形成する工程、該第一不活性化層にプラズマを照射する工程、および、プラズマ照射された第一不活性化層上にさらに第二不活性化層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 |
| 公开日期 | 2005-09-28 |
| 申请日期 | 1999-02-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41693]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀江 秀善,太田 弘貴. 半導体発光素子の製造方法. JP3699851B2. 2005-07-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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