窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 長濱 慎一; 柳本 友弥; 中村 修二 |
| 发表日期 | 2004-12-03 |
| 专利号 | JP3622045B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 クラッド層から上の層にリッジが設けられてなるレーザ素子において、クラッド層表面にピットが存在してもショートせず、しかもリッジ最表面にあるコンタクト層と安定してオーミックコンタクトが得られるレーザ素子とその製造方法を提供する。 【構成】 少なくともクラッド層と、コンタクト層とを順に有し、前記クラッド層を含む層から上の層にリッジストライプが形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記クラッド層はAlを含む第1導電型の窒化物半導体層を有し、一方、リッジストライプの両側面には、クラッド層よりも薄い膜厚で第2導電型若しくは半絶縁性の窒化物半導体層を含む電流阻止層が形成されており、前記電流阻止層及び前記コンタクト層とに渡って連続した電極が形成されていることにより、その電流阻止層でピットを埋めて、ショートを無くすることができる。 |
| 公开日期 | 2005-02-23 |
| 申请日期 | 1998-01-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41695]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長濱 慎一,柳本 友弥,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法. JP3622045B2. 2004-12-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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