窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 奥 保成; 亀井 英徳 |
| 发表日期 | 2006-03-10 |
| 专利号 | JP3777869B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用いた半導体発光素子において、主発光面からの発光出力を改善することができる新規な構造を提供することを目的とする。 【解決手段】 n型のGaNからなる基板1上に少なくともInを含む活性層3とp型クラッド層5とをこの順に積層させてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、基板1と活性層3との間に、p型不純物がドープされることにより半絶縁性とされた中間層2を有する構成とすることによって、電流を活性層3全体に均一に注入し、活性層3からの均一な発光を得ることができる。 |
| 公开日期 | 2006-05-24 |
| 申请日期 | 1999-05-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41724]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥 保成,亀井 英徳. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子. JP3777869B2. 2006-03-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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