半導体レ—ザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大場 康夫; 山本 基幸; 管原 秀人; 石川 正行; 渡辺 幸雄 |
| 发表日期 | 1996-05-17 |
| 专利号 | JP2519879B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 電流狭窄構造と光導波構造を自己整合的に形成することができ、且つクラッド層の凸部形成プロセスの難しさや電流阻止層の結晶性低下等の問題を解決し、素子特性の向上及び信頼性の向上をはかる。 【構成】 n-GaAs基板11と、n-InGaAlPクラッド層14,InGaP活性層15及びストライプ状凸部を有したp-InGaAlPクラッド層からなり、基板11上に形成されたDH構造部と、DH構造部上にクラッド層凸部を除いて形成されたn-GaAs電流阻止層21と、p-InGaAlPクラッド層上に形成されたp-GaAsコンタクト層20,22とを備えた半導体レーザにおいて、p-InGaAlPクラッド層を3層構造に形成し、中間の第2クラッド層のバンドギャップを第1,第3クラッド層のそれよりも小さく、且つ活性層15のそれよりも大きくした。 |
| 公开日期 | 1996-07-31 |
| 申请日期 | 1986-02-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41728]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大場 康夫,山本 基幸,管原 秀人,等. 半導体レ—ザ装置及びその製造方法. JP2519879B2. 1996-05-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。