選択成長法を用いた窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法及び窒化ガリウム系半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 木村 明隆; 仁道 正明 |
| 发表日期 | 2000-04-28 |
| 专利号 | JP3060973B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 選択成長法を用いた窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法及び窒化ガリウム系半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 選択成長法を用いて電流狭窄構造を形成することにより、ドライエッチング工程の少なく、かつ、サイズ制御性に優れた窒化ガリウム系レーザの製造方法を提供すること、および、前記製造方法により、発振しきい値電流が小さく、かつ、抵抗が小さい窒化ガリウム系レーザを提供する。 【解決手段】 基板上に、n型窒化ガリウム系半導体層を形成し、活性層を形成し、p型窒化ガリウム系半導体層を形成し、ストライプ状の開口部を持つ絶縁体膜を形成し、選択成長法によりp型窒化ガリウム系半導体層を形成する。半導体が六方晶であって、かつ、その表面が(0001)面であって、かつ、絶縁体膜のストライプ方向を半導体結晶の[1-100]方向に形成することが望ましい。 |
| 公开日期 | 2000-07-10 |
| 申请日期 | 1996-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41736]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木村 明隆,仁道 正明. 選択成長法を用いた窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法及び窒化ガリウム系半導体レーザ. JP3060973B2. 2000-04-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。