Semiconductor light-emitting device with cadmium zinc selenide layer
文献类型：专利
| 作者 | MIGITA, MASAHITO; TAIKE, AKIRA; OHTOSHI, TSUKURU |
| 发表日期 | 1994-03-29 |
| 专利号 | US5299217 |
| 著作权人 | OPNEXT JAPAN, INC. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor light-emitting device with cadmium zinc selenide layer |
| 英文摘要 | A semiconductor light-emitting device containing as first and second semiconductor layers a semiconductor of CdxZn1-xSySe1-y (0 |
| 公开日期 | 1994-03-29 |
| 申请日期 | 1991-10-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41737]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OPNEXT JAPAN, INC. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MIGITA, MASAHITO,TAIKE, AKIRA,OHTOSHI, TSUKURU. Semiconductor light-emitting device with cadmium zinc selenide layer. US5299217. 1994-03-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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