DFB半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 斎藤 秀穂; 近藤 康洋 |
| 发表日期 | 1999-01-29 |
| 专利号 | JP2879083B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | DFB半導体レーザ |
| 英文摘要 | PURPOSE:To make a coupling coefficient kappa small by a method wherein a first guide layer having a diffraction grating is so formed as to have a low refractive index, a difference in the refractive index between this layer and a clad layer is made small, a second guide layer is provided on the opposite side thereto, a power distribution of light is drawn onto the second guide layer side and the coupling of light with the diffraction grating is made small. CONSTITUTION:An InP clad layer 2 of a band gap width Ec, a second InGaAsP guide layer 3 of the width Eg2, an InGaAsP active layer 4 of Ea, a first InGaAsP guide layer 5 of Eg1 and an InP clad layer 6 of Ec and an InCaAsP contact layer are laminated sequentially on an InP substrate The band gap widths Ea, Eg1, Eg2 and Ec are so set that the relationship of Ea |
| 公开日期 | 1999-04-05 |
| 申请日期 | 1990-02-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41752]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 斎藤 秀穂,近藤 康洋. DFB半導体レーザ. JP2879083B2. 1999-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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