InA1As etch stop layer for precise semiconductor waveguide fabrication
文献类型：专利
| 作者 | BOND, AARON EUGENE; OUGAZZADEN, ABDALLAH; SHTENGEL, GLEB E. |
| 发表日期 | 2002-04-23 |
| 专利号 | US6376272 |
| 著作权人 | ALCATEL-LUCENT USA INC. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | InA1As etch stop layer for precise semiconductor waveguide fabrication |
| 英文摘要 | A semiconductor waveguide device and method for forming the same provide an InAlAs film as an etch stop layer. The InAlAs film does not etch in the CH4/H2 etch chemistry used to produce the device using reactive ion etching techniques. The etching process etches the waveguide layer and cladding layer or layers formed above the InAlAs layer, and exposes the InAlAs etch stop film to produce a waveguide device having desired physical characteristics. |
| 公开日期 | 2002-04-23 |
| 申请日期 | 2000-06-06 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41758]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ALCATEL-LUCENT USA INC. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | BOND, AARON EUGENE,OUGAZZADEN, ABDALLAH,SHTENGEL, GLEB E.. InA1As etch stop layer for precise semiconductor waveguide fabrication. US6376272. 2002-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。