自励発振型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 宮坂 文人; 堀田 等; 小林 健一 |
| 发表日期 | 2000-10-27 |
| 专利号 | JP3123433B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 自励発振型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 高濃度に不純物を添加することなく可飽和吸収層のキャリア寿命を短くできるようにして、閾値電流の低い自励発振型レーザを提供する。 【構成】 活性層4を挟むn型及びp型AlGaInPクラッド層2、5内に、次の条件でn型、p型可飽和吸収層3、6を形成する。 |
| 公开日期 | 2001-01-09 |
| 申请日期 | 1996-06-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41764]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮坂 文人,堀田 等,小林 健一. 自励発振型半導体レーザ. JP3123433B2. 2000-10-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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