Asymmetric waveguide GaInAs laser diode
文献类型：专利
| 作者 | SONG, DAE-SUNG; KIM, TAK |
| 发表日期 | 2006-09-26 |
| 专利号 | US7113531 |
| 著作权人 | SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Asymmetric waveguide GaInAs laser diode |
| 英文摘要 | A laser diode is provided. The laser diode has a structure in which reflective index of an n-cladding layer formed on a first face of the active layer is higher than that of a p-cladding layer formed on a second face. This asymmetric waveguide structure suppresses extension of field into the p-cladding layer thus reducing free carrier absorption in the p-cladding layer. |
| 公开日期 | 2006-09-26 |
| 申请日期 | 2004-03-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41768]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SONG, DAE-SUNG,KIM, TAK. Asymmetric waveguide GaInAs laser diode. US7113531. 2006-09-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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