Nitride based semiconductor device and method of forming the same
文献类型：专利
| 作者 | KURAMOTO, MASARU; YAMAGUCHI, ATSUSHI |
| 发表日期 | 2003-11-04 |
| 专利号 | US6642546 |
| 著作权人 | RENESAS ELECTRONICS CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Nitride based semiconductor device and method of forming the same |
| 英文摘要 | The present invention provides a semiconductor device comprising: a base layer made of a gallium nitride-based material; a cladding layer extending over the base layer; and an active layer extending over the cladding layer, and the active layer including at least a photo-luminescent layer of InxAlyGa1-x-yN (0=0x10(m). |
| 公开日期 | 2003-11-04 |
| 申请日期 | 2001-03-19 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41769]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | RENESAS ELECTRONICS CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KURAMOTO, MASARU,YAMAGUCHI, ATSUSHI. Nitride based semiconductor device and method of forming the same. US6642546. 2003-11-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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