多重量子井戸構造および多重量子井戸構造を用いた半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 宇佐見 正士; 松島 裕一 |
| 发表日期 | 1998-05-29 |
| 专利号 | JP2785167B2 |
| 著作权人 | 国際電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 多重量子井戸構造および多重量子井戸構造を用いた半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】多重量子井戸の各量子井戸層に外部から注入されるキャリアをほぼ均一に注入させうる多重量子井戸構造及びその多重量子井戸構造を用いた半導体素子を提供する。 【構成】電子のド·ブロイ波長程度の厚さを有する量子井戸層と該量子井戸層より大なる禁制帯幅を有する障壁層とを有し、前記量子井戸層と該障壁層を少なくとも2組以上積層した多重量子井戸構造において、該多重量子井戸構造にp型とn型の少なくとも一方の不純物をドープし、該多重量子井戸構造全体のエネルギーバンドを傾斜させて注入キャリアがその多重量子井戸構造内でほぼ均一に分布するように構成されている。 |
| 公开日期 | 1998-08-13 |
| 申请日期 | 1992-06-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41780]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 国際電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宇佐見 正士,松島 裕一. 多重量子井戸構造および多重量子井戸構造を用いた半導体素子. JP2785167B2. 1998-05-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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