窒化物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 長濱 慎一; 松下 俊雄; 中村 修二 |
| 发表日期 | 2006-05-12 |
| 专利号 | JP3801353B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 高出力、長寿命なレーザを実現すると共に信頼性に優れた発光素子を提供する。 【構成】 窒化物半導体からなる基板上部に、n側クラッド層を有し、そのn側クラッド層上部に、多重量子井戸構造を有する活性層を備えた窒化物半導体発光素子において、前記基板と前記n側クラッド層との間にインジウムを含む窒化物半導体層を含む中間層が、そのn側クラッド層と離間して形成されていることにより、窒化物半導体基板の劈開性が良くなり、歩留まりが向上する。 |
| 公开日期 | 2006-07-26 |
| 申请日期 | 1998-05-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41783]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長濱 慎一,松下 俊雄,中村 修二. 窒化物半導体発光素子. JP3801353B2. 2006-05-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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