自励発振型半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 庄野 昌幸; 本多 正治; 池上 隆俊; 別所 靖之; 茨木 晃; 吉年 慶一 |
| 发表日期 | 2001-11-09 |
| 专利号 | JP3249291B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 自励発振型半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 安定に自励発振する自然超格子構造を取り得る半導体材料からなる可飽和光吸収層を備えた自励発振型半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 【構成】 可飽和光吸収層5、15の両面に、アンドープの不純物拡散防止層4、6、14、16を設けた。 |
| 公开日期 | 2002-01-21 |
| 申请日期 | 1994-05-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41788]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 庄野 昌幸,本多 正治,池上 隆俊,等. 自励発振型半導体レーザ素子. JP3249291B2. 2001-11-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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