表面极少缺陷的晶片的制备方法,用途和含它的电子元件
文献类型：专利
| 作者 | P・布劳姆; B・施佩特; I・克勒; B・吕丁格尔; W・贝尔 |
| 发表日期 | 2012-08-01 |
| 专利号 | CN1684234B |
| 著作权人 | 肖特股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 表面极少缺陷的晶片的制备方法,用途和含它的电子元件 |
| 英文摘要 | 本发明描述了一种特别低应力的晶片基材的生产方法，该晶片基材具有可用至少一种本身为已知的方法涂刷的活性表面，其中该活性表面具有很少由涂层缺失造成的缺陷。该方法包括借助抛光步骤来打磨该表面，其中利用抛光元件来对有源表面进行抛光。该方法中，利用抛光工具以不断改变抛光方向的方式来涂抹该晶片表面，使得表面上沿着360°周角的每一个方向上的每个位置都能按统计学均匀地涂到。 |
| 公开日期 | 2012-08-01 |
| 申请日期 | 2005-03-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41819]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 肖特股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | P・布劳姆,B・施佩特,I・克勒,等. 表面极少缺陷的晶片的制备方法,用途和含它的电子元件. CN1684234B. 2012-08-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。