面発光半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小林 康宏 |
| 发表日期 | 2005-12-02 |
| 专利号 | JP3745096B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 イオン注入および選択酸化を用いながら、低抵抗で低しきい電流を達成し、かつ製造工程が簡単な面発光半導体レーザを提供する。 【解決手段】 n形GaAs基板101上に下部ミラー102を形成する。次に、浅いイオン注入を行い、電流狭窄領域となるイオン注入領域108を形成する。その後、SiO2膜マスク109を形成し、SiO2膜マスク109に覆われていない領域の上に活性領域104および上部ミラー105を含んだ積層構造を選択成長させる。 |
| 公开日期 | 2006-02-15 |
| 申请日期 | 1997-10-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41820]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 康宏. 面発光半導体レーザおよびその製造方法. JP3745096B2. 2005-12-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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