化合物半導体へのn型ドーピング方法およびこれを用いた化学ビーム堆積方法並びにこれらの結晶成長方法によって形成された化合物半導体結晶およびこの化合物半導体結晶によって構成された電子デバイスおよび光デバイス
文献类型：专利
| 作者 | 和泉 茂一; 采女 豊 |
| 发表日期 | 2003-01-10 |
| 专利号 | JP3386302B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 化合物半導体へのn型ドーピング方法およびこれを用いた化学ビーム堆積方法並びにこれらの結晶成長方法によって形成された化合物半導体結晶およびこの化合物半導体結晶によって構成された電子デバイスおよび光デバイス |
| 英文摘要 | 【課題】 ドーピング濃度が基板温度等の影響を受けにくく、ドーピング濃度制御が容易なドーピング方法を提案し、所望のドーピング濃度が得られた信頼性の高い結晶およびデバイスを提供する。 【解決手段】 有機金属分子(TEGa)、水素化物(AsH3 )、SiI4 ガスをCBE装置成長室内に導入し、真空中に放出された有機金属分子および水素化物のガスは加熱された基板2上で反応し、半導体材料すなわちGaAsの堆積層が形成されるとともに、SiI4 ガスが成長基板表面で熱エネルギーを与えられ熱分解し、SiがキャリアとしてGaAs結晶中に混入し、n型ドーピングが行われる。なお、本発明はMOMBE、ガスソースMBE、MOCVD、MBE等の結晶成長方法にも適用可能である。 |
| 公开日期 | 2003-03-17 |
| 申请日期 | 1995-12-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41824]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 和泉 茂一,采女 豊. 化合物半導体へのn型ドーピング方法およびこれを用いた化学ビーム堆積方法並びにこれらの結晶成長方法によって形成された化合物半導体結晶およびこの化合物半導体結晶によって構成された電子デバイスおよび光デバイス. JP3386302B2. 2003-01-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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