窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 小野村 正明; 波多腰 玄一; 布上 真也; 石川 正行 |
| 发表日期 | 2007-04-20 |
| 专利号 | JP3946337B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】活性層へキャリア注入を効率的に且つ均一に行うと共に基本横モード以外の高次モードを抑制することができ、低閾値電流、低動作電圧、低雑音特性で連続発振する信頼性の高い窒化物化合物半導体レーザを提供すること。 【解決手段】サファイア基板101上に、活性層105を導電型の異なる半導体層で挟んだ半導体レーザにおいて、p側電極109と共にメサ型に形成された電流挙窄構造の側面にはポリイミド111の電流ブロックと光閉じ込めのための構造が形成されている。 |
| 公开日期 | 2007-07-18 |
| 申请日期 | 1998-02-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41844]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野村 正明,波多腰 玄一,布上 真也,等. 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ. JP3946337B2. 2007-04-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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