Fabrication of nitride semiconductor light-emitting device
文献类型：专利
| 作者 | YAMAGUCHI, ATSUSHI; KIMURA, AKITAKA; SASAOKA, CHIAKI |
| 发表日期 | 2000-08-08 |
| 专利号 | US6100106 |
| 著作权人 | NEC CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Fabrication of nitride semiconductor light-emitting device |
| 英文摘要 | A process for producing a semiconductor light-emitting device, which comprises forming, on a substrate by crystal growth, a gallium nitride type compound semiconductor layer having a crystal face (0,0,0,1) which can be utilized as the end surface of an optical waveguide or as a cavity mirror surface. |
| 公开日期 | 2000-08-08 |
| 申请日期 | 1998-11-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41855]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YAMAGUCHI, ATSUSHI,KIMURA, AKITAKA,SASAOKA, CHIAKI. Fabrication of nitride semiconductor light-emitting device. US6100106. 2000-08-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。