High-power semiconductor laser device having current confinement structure and index-guided structure
文献类型：专利
| 作者 | FUKUNAGA, TOSHIAKI; WADA, MITSUGU |
| 发表日期 | 2002-06-04 |
| 专利号 | US6400743 |
| 著作权人 | NICHIA CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | High-power semiconductor laser device having current confinement structure and index-guided structure |
| 英文摘要 | In a semiconductor laser device: an n-type lower cladding layer; a lower optical waveguide layer; a compressive strain quantum well active layer made of Inx3Ga1-x3As1-y3Py3, where 0 |
| 公开日期 | 2002-06-04 |
| 申请日期 | 2000-08-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41866]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NICHIA CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | FUKUNAGA, TOSHIAKI,WADA, MITSUGU. High-power semiconductor laser device having current confinement structure and index-guided structure. US6400743. 2002-06-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。