光変調器集積半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 奥田 哲朗 |
| 发表日期 | 2001-12-28 |
| 专利号 | JP3264369B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光変調器集積半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光変調器集積半導体レーザにおいて、波長チャープを低減し、かつ素子の均一性及び再現性を改善する。 【解決手段】 選択成長により一括して光導波路3を形成する光変調器集積半導体レーザにおいて、レーザ部10と変調器部11の境界に、バンドギャップ及び膜厚がテーパー状に変化する光導波路3の遷移領域9を形成する。この遷移領域9をDFBレーザ部10に含め、活性領域とする。これにより、変調器部11からの反射戻り光に起因する波長チャープが低減される。また、遷移領域9をテーパ状に形成することにより、素子特性の均一性及び再現性が改善される。 |
| 公开日期 | 2002-03-11 |
| 申请日期 | 1999-02-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41869]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥田 哲朗. 光変調器集積半導体レーザ及びその製造方法. JP3264369B2. 2001-12-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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