青-緑注入形レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | トーマス エム マーシャル; ピオトル メンズ; ジョン ペトルゼーロ; ジェームス ガイネス; ロナルド アール ドレンテン; ケビン ダブリュー ハベラーン |
| 发表日期 | 1995-08-16 |
| 专利号 | JP1995077284B2 |
| 著作权人 | FUIRITSUPUSU EREKUTORONIKUSU NV |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 青-緑注入形レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 Zn1-x Mgx Sy Se1-y クラッド層及びZnSz Se1-z ガイド層を有するZn1-u Cdu Se活性層(量子井戸)及びGaAs基板を用いる青-緑II/VI独立した閉じ込め半導体注入形レーザを目的とする。 【構成】(a)第1導電型の基板、(b)前記基板上に載置され、前記第1導電型のZn1-x Mgx Sy Se1-y からなるクラッド層、(c)前記第1導電型クラッド層上に載置され、前記第1導電型のZnSz Se1-Z のガイド層、(d)前記第1導電型ガイド層上に載置され、Zn1-u Cdu Seの活性層、(e)前記活性層上に載置され、前記第1導電型と逆の第2導電型のZnSz Se1-z のガイド層、(f)前記第2導電型のZn1-x Mgx Sy Se1-y のクラッド層、及び(g)ここにおいて、0≦u≦0.4 、0≦z≦0.1 、0≦x≦1及び0.06≦y≦1、並びにクラッド層は前記基板に整合された格子であるように選択されるx及びy、からなるレーザ装置。 |
| 公开日期 | 1995-08-16 |
| 申请日期 | 1993-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41898]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUIRITSUPUSU EREKUTORONIKUSU NV |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | トーマス エム マーシャル,ピオトル メンズ,ジョン ペトルゼーロ,等. 青-緑注入形レーザ装置. JP1995077284B2. 1995-08-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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