半導体発光素子およびその製法
文献类型：专利
| 作者 | 筒井 毅; 中田 俊次; 尺田 幸男; 園部 雅之; 伊藤 範和 |
| 发表日期 | 2005-08-26 |
| 专利号 | JP3713124B2 |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製法 |
| 英文摘要 | 【課題】 簡単な製造工程でチッ化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子チップの上下の両面に2つの電極を形成し得ると共に、ウェハから各チップへの切断分離を容易に行うことができ、劈開もすることができる半導体発光素子およびその製法を提供する。 【解決手段】 半導体基板1と、該半導体基板上に設けられるサファイア層2と、該サファイア層上に積層され、チッ化ガリウム系化合物半導体からなり発光層形成部10を構成する第1導電形層(p形層5)および第2導電形層(n形層3)を含む半導体積層部と、前記半導体積層部の第1導電形層および第2導電形層にそれぞれ電気的に接続して設けられる第1および第2の電極(p側電極8およびn側電極9)とからなっている。 |
| 公开日期 | 2005-11-02 |
| 申请日期 | 1997-05-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41907]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 筒井 毅,中田 俊次,尺田 幸男,等. 半導体発光素子およびその製法. JP3713124B2. 2005-08-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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