Structure and method for planar lateral oxidation in active
文献类型：专利
| 作者 | CHUA, CHRISTOPHER L.; FLOYD, PHILIP D.; PAOLI, THOMAS L.; SUN, DECAI |
| 发表日期 | 2004-01-06 |
| 专利号 | US6674090 |
| 著作权人 | XEROX CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Structure and method for planar lateral oxidation in active |
| 英文摘要 | An active semiconductor device is made using planar lateral oxidation to define a core region that is surrounded by regions of buried oxidized semiconductor material in. The buried oxidized semiconductor material provides optical waveguiding, and or a defined electrical path. |
| 公开日期 | 2004-01-06 |
| 申请日期 | 1999-12-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41942]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | XEROX CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | CHUA, CHRISTOPHER L.,FLOYD, PHILIP D.,PAOLI, THOMAS L.,et al. Structure and method for planar lateral oxidation in active. US6674090. 2004-01-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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