半導体レーザ及び光変調器つき半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 野村 良徳; 井須 俊郎 |
| 发表日期 | 2003-04-18 |
| 专利号 | JP3419218B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及び光変調器つき半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 光ファイバにより高速で長距離伝送するに適した、信号電流によって直接駆動され、長距離伝送によっても劣化しがたい短光パルスを発生することができる半導体レーザを得ることを目的とする。 【解決手段】 半導体レーザの活性領域1を構成する量子井戸層1a,1bの厚さを共振器の長さ方向に沿って変化させる、長さ方向中央部で厚くするか、あるいは量子井戸層を構成する材料のバンド間隔を共振器の長さ方向に沿って変化させる、長さ方向中央部で小さくする。 |
| 公开日期 | 2003-06-23 |
| 申请日期 | 1996-09-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41949]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野村 良徳,井須 俊郎. 半導体レーザ及び光変調器つき半導体レーザ装置. JP3419218B2. 2003-04-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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