電界吸収型半導体光変調器
文献类型：专利
| 作者 | 中村 真嗣; 上山 智; 松井 康 |
| 发表日期 | 1999-11-19 |
| 专利号 | JP3004902B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 電界吸収型半導体光変調器 |
| 英文摘要 | 【課題】 電界吸収型半導体光変調器の印加電圧-消光比特性の非線形性歪を低減する。 【解決手段】 MQW層34は、PL波長51μm、厚さ7nmのInGaAsPよりなる第1の井戸層45、PL波長15μm、厚さ10nmの第1の障壁層46、PL波長41μm、厚さ9nmのInGaAsPよりなる第2の井戸層47、PL波長19μm、厚さ8nmの第2の障壁層48が順次組み合わされてなる。MQW層34の両側には、2段SCH構造を構成するPL波長05μm、厚さ50nmのInGaAsPよりなる第1の光導波層41とPL波長15μm、厚さ20nmのInGaAsPよりなる第2の光導波層42、及び第2の光導波層42と同じ組成で同じ厚さの第3の光導波層43と第1の光導波層41と同じ組成で同じ厚さの第4の光導波層44がそれぞれ形成されている。 |
| 公开日期 | 2000-01-31 |
| 申请日期 | 1996-02-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41956]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 真嗣,上山 智,松井 康. 電界吸収型半導体光変調器. JP3004902B2. 1999-11-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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