Verfahren zur Herstellung eines optischen Halbleiterelements
文献类型：专利
| 作者 | KITAMURA SHOTARO,JP |
| 发表日期 | 1998-09-17 |
| 专利号 | DE69224335T2 |
| 著作权人 | NIPPON ELECTRIC CO |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Verfahren zur Herstellung eines optischen Halbleiterelements |
| 英文摘要 | In a method of manufacturing an optical semiconductor element including at least the steps of forming a mask having a stripe-like gap or interval on a semiconductor substrate, epitaxially growing a semiconductor ridge including an active layer on only an exposed gap portion of the semiconductor substrate, and epitaxially growing a semiconductor cladding layer to cover the ridge, the thickness of the active layer is substantially the same as the width of the active layer. |
| 公开日期 | 1998-09-17 |
| 申请日期 | 1992-07-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41970]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON ELECTRIC CO |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KITAMURA SHOTARO,JP. Verfahren zur Herstellung eines optischen Halbleiterelements. DE69224335T2. 1998-09-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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