半導体層のキャリア濃度の設定方法及び半導体レーザのキャリア濃度の設定方法
文献类型：专利
| 作者 | 本多 正治; 浜田 弘喜; 庄野 昌幸; ▲廣▼山 良治 |
| 发表日期 | 2003-11-07 |
| 专利号 | JP3490923B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体層のキャリア濃度の設定方法及び半導体レーザのキャリア濃度の設定方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 組成比を変化させること無く、AlGaInPからなる半導体層のキャリア濃度を向上させる半導体層のキャリア濃度の設定方法を提供する。 【解決手段】 GaAs基板1の主面上にn型AlGaInPからなるn型クラッド層3、活性層4、p型AlGaInPからなるp型クラッド層5が順に形成された半導体レーザにおいて、n型クラッド層3にはドナーとしてSiを添加し、p型クラッド層5にはアクセプタとしてZnを添加し、GaAs基板1の主面を(100)面から方向に傾斜させることにより、p型クラッド層5のキャリア濃度を主面が(100)面である場合よりも大きくなるように設定したことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2004-01-26 |
| 申请日期 | 1990-03-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41974]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 本多 正治,浜田 弘喜,庄野 昌幸,等. 半導体層のキャリア濃度の設定方法及び半導体レーザのキャリア濃度の設定方法. JP3490923B2. 2003-11-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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