多波長半導体レーザアレイ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 萬濃 正也; 小倉 基次 |
| 发表日期 | 1996-01-17 |
| 专利号 | JP1996004175B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 多波長半導体レーザアレイ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To form semiconductor lasers of different wavelengths simultaneously and structures substantially the same except irradiating light wavelengths by forming a substrate by irradiating a light while selectively auxilially heating when an active layer of a double hetero structure is epitaxially grown. CONSTITUTION:An n-type (AlxGa1-x)0.5In0.5P clad layer 20, a nondoped Ga0.5In0.5P active layer 21, a p-type (AlxGa1-x)0.5In0.5P clad layer 22, and an n-type GaAs cap layer 23 are sequentially epitaxially grown by TMI, TEG, PH3 on an n-type GaAs substrate 19. The layers 21 are epitaxially grown at a predetermined interval at this time while selectively irradiating an Ar laser light in a stripe shape. Then, an insulating film 24 is formed on the wall of a groove formed by separate etching of the layers 23, 22, and a p-type side ohmic electrode 25 and an n-type side ohmic electrode 26 are further formed. |
| 公开日期 | 1996-01-17 |
| 申请日期 | 1987-02-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41975]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 萬濃 正也,小倉 基次. 多波長半導体レーザアレイ装置の製造方法. JP1996004175B2. 1996-01-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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