光素子搭載部構造
文献类型：专利
| 作者 | 赤堀 裕二; 加藤 邦治; 大山 貴晴; 山田 貴 |
| 发表日期 | 2004-01-09 |
| 专利号 | JP3508990B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光素子搭載部構造 |
| 英文摘要 | 【課題】 同一基板上に複数の光素子を搭載する場合であっても、基板裏面が一定温度になるように冷却することにより、搭載した光素子毎に温度を制御することを可能にする。 【解決手段】 基板1の上にクラッド層2を形成し、その上に、ヒーター15、絶縁層16、電極15及び半田膜6をこの順に積層した構造を有し、基板1上に形成した光導波路と基板1に搭載された半導体光素子7の出力光とが結合するように絶縁体層の高さを加工し、ヒーター15の直上に活性層9がくるように半導体光素子7をフリップチップボンディングし、ヒーター15に電流を流すことで、光素子活性層の温度を制御し、同一基板上に複数の光素子を搭載する場合であっても、基板裏面が一定温度になるように冷却することにより、搭載した光素子毎に温度を制御することが可能となる。 |
| 公开日期 | 2004-03-22 |
| 申请日期 | 1998-09-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41985]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赤堀 裕二,加藤 邦治,大山 貴晴,等. 光素子搭載部構造. JP3508990B2. 2004-01-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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