分布帰還型半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 高橋 幸司; 厚主 文弘; 種谷 元隆 |
| 发表日期 | 2005-09-02 |
| 专利号 | JP3714984B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】高い素子作製歩留り、良好な単一縦モード特性、低電流動作、素子特性の安定を実現する短波長の利得結合分布帰還型半導体レーザを提供する。 【構成】デューティ0.5付近の一次回折格子を有する周期的吸収層を有し、利得結合が十分に生じつつ吸収損失が十分に小さくなるように周期的吸収層の厚さが最適に設定されている。活性層と吸収層との禁制帯幅の差が一定値よりも大きい組み合わせとする。 |
| 公开日期 | 2005-11-09 |
| 申请日期 | 1995-03-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41995]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高橋 幸司,厚主 文弘,種谷 元隆. 分布帰還型半導体レーザ装置. JP3714984B2. 2005-09-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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