III族窒化物半導体薄膜の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大井 明彦; 鈴木 健; 松井 俊之; 松山 秀昭; 上條 洋 |
| 发表日期 | 2005-08-12 |
| 专利号 | JP3707211B2 |
| 著作权人 | 富士電機ホールディングス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | III族窒化物半導体薄膜の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 Si(111)基板上の平坦で結晶性の良いIII 族窒化物薄膜およびその製造方法を提供する。 【解決手段】シリコン基板上に分子線エピタキシャルによりAlx Gay In1-x-y N (0≦x,y ≦1 かつ 0≦x+y ≦1)からなるIII 族窒化物半導体薄膜を成膜するIII 族窒化物半導体薄膜の製造方法において、シリコン基板に基板シリコンの窒化を防止する窒化防止層を形成した後、III 族窒化物半導体薄膜を成膜する。または、シリコン基板とIII 族窒化物半導体薄膜の間にはIII/V 流束比(基板に供給されるIII 族元素の流束の基板に供給される活性窒素の流束に対する比)が0.25ないし2.0 以下で形成されたAlN またはGaN からなるバッファー層を介在させる。 |
| 公开日期 | 2005-10-19 |
| 申请日期 | 1997-07-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41999]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士電機ホールディングス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大井 明彦,鈴木 健,松井 俊之,等. III族窒化物半導体薄膜の製造方法. JP3707211B2. 2005-08-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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