Herstellungsverfahren einer Lichtemittierende Vorrichtung
文献类型：专利
| 作者 | KUNISATO TATSUYA; MATSUSHITA YASUHIKO; KANO TAKASHI; YAGI KATSUMI; UEDA YASHIRO |
| 发表日期 | 2006-04-06 |
| 专利号 | DE69735078D1 |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO. LTD. |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Herstellungsverfahren einer Lichtemittierende Vorrichtung |
| 英文摘要 | A light emitting device includes a cladding layer composed of a III-V group nitride system semiconductor of a first conductivity type, an active layer formed on the cladding layer of the first conductivity type and composed of a III-V group nitride system semiconductor containing In, an undoped cap layer formed on the active layer and composed of a III-V group nitride system semiconductor, and a cladding layer formed on the cap layer and composed of a III-V group nitride system semiconductor of a second conductivity type. |
| 公开日期 | 2006-04-06 |
| 申请日期 | 1997-04-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42026]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO. LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KUNISATO TATSUYA,MATSUSHITA YASUHIKO,KANO TAKASHI,et al. Herstellungsverfahren einer Lichtemittierende Vorrichtung. DE69735078D1. 2006-04-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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