3次元半導体光結晶素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 納富 雅也; 竹ノ内 弘和 |
| 发表日期 | 2003-06-20 |
| 专利号 | JP3440306B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 3次元半導体光結晶素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光の波長の半分程度の大きさを持った3次元屈折率変調構造を構成することにより、3次元半導体光結晶素子を製造する方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 半導体基板上に、組成の異なる半導体多層膜4を成長する工程、リソグラフィー技術により半導体多層膜に周期的な孔6をあける工程、多層膜を構成する特定の半導体層のAlのみを酸化することにより当該層を強制酸化により形成されたAl2O3層7に転化する工程、とを組み合わせることにより、全体として3次元半導体屈折率変調構造を得ることを解決手段とする。 |
| 公开日期 | 2003-08-25 |
| 申请日期 | 1997-12-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42043]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 納富 雅也,竹ノ内 弘和. 3次元半導体光結晶素子の製造方法. JP3440306B2. 2003-06-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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