半導体レーザアレイの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐々木 達也; 水戸 郁夫 |
| 发表日期 | 1997-12-12 |
| 专利号 | JP2727944B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザアレイの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】高出力特性に優れる半導体レーザアレイを簡単な方法で再現性よく製造する。 【構成】半導体基板1の表面に誘電体薄膜ストライプ21を一定の幅および間隔で周期状に形成した後、活性層4を含む多層構造を選択的に形成し、クラッド層7で全面に埋め込んでレーザアレイとする。半導体のエッチングなしに良好な光出力特性が再現性よく得られる。 |
| 公开日期 | 1998-03-18 |
| 申请日期 | 1993-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42045]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 達也,水戸 郁夫. 半導体レーザアレイの製造方法. JP2727944B2. 1997-12-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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