面発光半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 大礒 義孝; 小濱 剛孝; 黒川 隆志 |
| 发表日期 | 2000-08-11 |
| 专利号 | JP3097938B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 低しきい値電流でレーザ発振でき、かつ容易に室温で連続発振できる面発光半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 2種類の半導体層を交互に積層してなる光学波長の1/4の膜厚の第1半導体多層膜7と2種類の誘電体層を交互に積層してなる光学波長の1/4の膜厚の第1誘電体多層膜8とを有する第1光反射層12と、n型クラッド層4と、活性層5とp型クラッド層6と、2種類の半導体層を交互に積層してなる光学波長の1/4の膜厚の第2半導体多層膜3と2種類の誘電体層を交互に積層してなる光学波長の1/4の膜厚の第2の誘電体多層膜11とを有する第2反射層13と、を含み、第1光反射層12の第1誘電体多層膜8は、基板10上の誘電体膜9に融着されている。 |
| 公开日期 | 2000-10-10 |
| 申请日期 | 1992-10-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42074]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大礒 義孝,小濱 剛孝,黒川 隆志. 面発光半導体レーザ. JP3097938B2. 2000-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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