GaN系の半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 千代 敏明; 野杁 静代; 柴田 直樹; 伊藤 潤 |
| 发表日期 | 2004-02-06 |
| 专利号 | JP3517867B2 |
| 著作权人 | 豊田合成株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | GaN系の半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 新規な構成のGaN系の半導体素子を提供する。 【解決手段】 基板においてGaN系の半導体層に対向する面がTi化されている構成の新規なGaN系の半導体層を提供する。 |
| 公开日期 | 2004-04-12 |
| 申请日期 | 1998-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42082]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 豊田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 千代 敏明,野杁 静代,柴田 直樹,等. GaN系の半導体素子. JP3517867B2. 2004-02-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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