レーザダイオード·導波路モノリシック集積デバイス
文献类型：专利
| 作者 | ウオルフガング チユルケ |
| 发表日期 | 2001-10-19 |
| 专利号 | JP3242963B2 |
| 著作权人 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | レーザダイオード·導波路モノリシック集積デバイス |
| 英文摘要 | PURPOSE: To provide a laser diode/waveguide monolithic integrated device on a semi-insulating substrate. CONSTITUTION: A laser diode provided with a waveguide layer 3, a middle layer 4, an active layer 5, and a lattice layer 6 is arranged between the parts of a lower clad layer 10 at an active region A on a semi-insulating substrate 1, an upper clad layer 7, a center contact layer 8, and a central electrode 9 are provided at the upper part of the laser stripe, and the active layer 5 is controlled via the lower clad layer 10 and a contact layer 11 and an electrode 12 on a side surface that is covered on the layer 10. |
| 公开日期 | 2001-12-25 |
| 申请日期 | 1991-11-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42089]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ウオルフガング チユルケ. レーザダイオード·導波路モノリシック集積デバイス. JP3242963B2. 2001-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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