化合物半導体薄膜の形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 高橋 康仁; 小倉 基次; 長谷 亘康 |
| 发表日期 | 1996-01-29 |
| 专利号 | JP1996008218B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 化合物半導体薄膜の形成方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 1回の成長で膜厚の異なる、量子井戸構造を有する化合物半導体薄膜をエピタキシャル成長させる。 【構成】 GaAs等化合物半導体基板6をエッチングによって段差を設ける。この段差付き基板6上にバッファ層GaAs7、第1のクラッド層であるAlxGa1-xAs層8、AlyGa1-yAs層とGaAs層で構成される薄膜多層領域(SQW層またはMQW層)9、第2のクラッド層であるAlxGa1-xAs層10、キャップ層GaAs11を順次エピタキシャル成長法により形成する。エピタキシャル成長層の成長速度は上部平坦領域,段差領域,下部平坦領域の順で遅くなり、この順で化合物半導体薄膜の量子井戸層の層厚が薄くなる。 |
| 公开日期 | 1996-01-29 |
| 申请日期 | 1985-02-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42098]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高橋 康仁,小倉 基次,長谷 亘康. 化合物半導体薄膜の形成方法. JP1996008218B2. 1996-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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