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光デバイスおよび半導体レーザ発振器

文献类型:专利

作者杉立 厚志; 野田 進
发表日期2011-06-17
专利号JP4761426B2
著作权人三菱電機株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名光デバイスおよび半導体レーザ発振器
英文摘要【課題】簡単な構造を有し、しかも素子サイズをコンパクトにすることが可能なレーザ光の出力や制御、検出、導波などを行う光デバイスを得ること。 【解決手段】活性層11とクラッド層12,13を積層して形成される2次元的な広がりを有するスラブ層14が2次元面内の周期的屈折率分布構造を有し、この周期的屈折率分布構造に対して導波路2となる線状欠陥領域を導入した2次元スラブフォトニック結晶構造によって構成される光デバイス10であって、導波路2の幅の異なる複数の領域3,4が、導波路2が直列に接続されるように構成される。 【選択図】 図1-2
公开日期2011-08-31
申请日期2004-07-01
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42119]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱電機株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
杉立 厚志,野田 進. 光デバイスおよび半導体レーザ発振器. JP4761426B2. 2011-06-17.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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